Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von APTC60SKM35T1G bereitgestellt werden.
vorrätig: 54539
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten APTC60SKM35T1G
VGS (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 5.4mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SP1 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 72A, 10V |
Verlustleistung (max) | 416W (Tc) |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | SP1 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 518nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 600V 72A (Tc) 416W (Tc) Chassis Mount SP1 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 72A (Tc) |