Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von DS2030W-100# bereitgestellt werden.
vorrätig: 56476
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten DS2030W-100#
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 100ns |
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Spannungsversorgung | 3 V ~ 3.6 V |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Supplier Device-Gehäuse | 256-BGA (27x27) |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 256-BGA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 5 (48 Hours) |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speichergröße | 256Kb (32K x 8) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | NVSRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 100ns 256-BGA (27x27) |
Basisteilenummer | DS2030 |
Zugriffszeit | 100ns |