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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten IS61LPS25636A-200TQ2I-TR
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
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Spannungsversorgung | 3.135 V ~ 3.465 V |
Technologie | SRAM - Synchronous |
Supplier Device-Gehäuse | 100-TQFP (14x20) |
Serie | - |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 100-LQFP |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 2 (1 Year) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 9Mb (256K x 36) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | SRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
detaillierte Beschreibung | SRAM - Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 100-TQFP (14x20) |
Uhrfrequenz | 200MHz |
Zugriffszeit | 3.1ns |