Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von RM25C512C-LSNI-T bereitgestellt werden.
vorrätig: 53955
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten RM25C512C-LSNI-T
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 100µs, 5ms |
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Spannungsversorgung | 1.65 V ~ 3.6 V |
Technologie | CBRAM |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | Mavriq™ |
Verpackung | Original-Reel® |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andere Namen | 1265-1218-6 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speichergröße | 512kb (128B Page Size) |
Speicherschnittstelle | SPI |
Speicherformat | CBRAM® |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | CBRAM Memory IC 512kb (128B Page Size) SPI 20MHz 8-SOIC |
Uhrfrequenz | 20MHz |