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RQ3E130BNTB
- Mega -Quelle #: MEGA-RQ3E130BNTB
- Hersteller: LAPIS Technology
- Verpackung: Cut Tape (CT)
- Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 507
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten RQ3E130BNTB
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-HSMT (3.2x3) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 13A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
| Andere Namen | RQ3E130BNTBCT |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 40 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 13A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13A (Ta) |
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RQ3E130BNTB FAQ
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