Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von SIR182DP-T1-RE3 bereitgestellt werden.
vorrätig: 53726
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten SIR182DP-T1-RE3
VGS (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 15A, 10V |
Verlustleistung (max) | 69.4W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Andere Namen | SIR182DP-T1-RE3TR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 32 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3250pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 60V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |