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MMBTA56LT1G-HFE
- Mega -Quelle #: MEGA-MMBTA56LT1G-HFE
- Hersteller: AMI Semiconductor/onsemi
- Verpackung: Tape & Reel (TR)
- Beschreibung: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 51014
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MMBTA56LT1G-HFE
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 80V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Transistor-Typ | PNP |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie | - |
| Leistung - max | 225mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 36 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 50MHz |
| detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 500mA 50MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 100 @ 100mA, 1V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |
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MMBTA56LT1G-HFE FAQ
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