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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MT47R512M4EB-25E:C
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
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Spannungsversorgung | 1.55 V ~ 1.9 V |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Supplier Device-Gehäuse | 60-FBGA (9x11.5) |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 60-TFBGA |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 2Gb (512M x 4) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (9x11.5) |
Uhrfrequenz | 400MHz |
Basisteilenummer | MT47R512M4 |
Zugriffszeit | 400ps |