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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten R1RW0416DSB-2PI#D0
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 12ns |
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Spannungsversorgung | 3 V ~ 3.6 V |
Technologie | SRAM |
Supplier Device-Gehäuse | 44-TSOP II |
Serie | - |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 4Mb (256K x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | SRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SRAM Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 12ns 44-TSOP II |
Zugriffszeit | 12ns |