ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedPDTD123ES,126
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PDTD123ES,126
- Mega -Quelle #: MEGA-PDTD123ES,126
- Hersteller: Freescale / NXP Semiconductors
- Verpackung: Tape & Box (TB)
- Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 57437
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten PDTD123ES,126
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-92-3 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
| Leistung - max | 500mW |
| Verpackung | Tape & Box (TB) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Andere Namen | 934059143126 PDTD123ES AMO PDTD123ES AMO-ND |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 40 @ 50mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |
| Basisteilenummer | PDTD123 |
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PDTD123ES,126 FAQ
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