Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von SI7445DP-T1-E3 bereitgestellt werden.
vorrätig: 57643
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten SI7445DP-T1-E3
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7 mOhm @ 19A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.9W (Ta) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 5V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
detaillierte Beschreibung | P-Channel 20V 12A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Ta) |