Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von FM22L16-55-TGTR bereitgestellt werden.
vorrätig: 56128
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten FM22L16-55-TGTR
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 110ns |
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Spannungsversorgung | 2.7 V ~ 3.6 V |
Technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Supplier Device-Gehäuse | 44-TSOP II |
Serie | F-RAM™ |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Andere Namen | FM22L16-55-TGTRRA FM22L1655TGTR |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speichergröße | 4Mb (256K x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | FRAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 110ns 44-TSOP II |
Basisteilenummer | FM22L16 |
Zugriffszeit | 110ns |