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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten 2N5195G
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 80V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 1A, 4A |
Transistor-Typ | PNP |
Supplier Device-Gehäuse | TO-225AA |
Serie | - |
Leistung - max | 40W |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | TO-225AA, TO-126-3 |
Andere Namen | 2N5195GOS |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 2 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 2MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 4A 2MHz 40W Through Hole TO-225AA |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 20 @ 1.5A, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 4A |
Basisteilenummer | 2N5195 |