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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten 2N5210
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 1mA, 10mA |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | TO-92 |
Serie | - |
Leistung - max | 350mW |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Andere Namen | 2N5210 TIN/LEAD 2N5210_D26Z 2N5210CS |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Frequenz - Übergang | 30MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 50mA 30MHz 350mW Through Hole TO-92 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 200 @ 100µA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 50mA |