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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten BUV27
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 120V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 800mA, 8A |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | - |
Leistung - max | 85W |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Andere Namen | 497-7216-5 BUV27-ND |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | - |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 12A 85W Through Hole TO-220AB |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | - |
Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 12A |
Basisteilenummer | BUV27 |