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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten BUV21G
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 200V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 3A, 25A |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3 |
Serie | SWITCHMODE™ |
Leistung - max | 250W |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | TO-204AE |
Andere Namen | BUV21G-ND BUV21GOS-NDOS BUV21GOSOS |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 2 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 8MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 40A 8MHz 250W Through Hole TO-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 20 @ 12A, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 3mA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 40A |