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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten SI2377EDS-T1-GE3
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen | SI2377EDS-T1-GE3TR SI2377EDST1GE3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 8V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
detaillierte Beschreibung | P-Channel 20V 4.4A (Tc) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.4A (Tc) |