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SI2399DS-T1-GE3
- Mega -Quelle #: MEGA-SI2399DS-T1-GE3
- Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
- Verpackung: Tape & Reel (TR)
- Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 52376
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten SI2399DS-T1-GE3
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 5.1A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen | SI2399DS-T1-GE3-ND SI2399DS-T1-GE3TR |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 835pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| detaillierte Beschreibung | P-Channel 20V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Tc) |
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