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vorrätig: 53879
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten KSD227YBU
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 25V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 30mA, 300mA |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | TO-92-3 |
Serie | - |
Leistung - max | 400mW |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | - |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 300mA 400mW Through Hole TO-92-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 120 @ 50mA, 1V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 300mA |
Basisteilenummer | KSD227 |