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vorrätig: 52787
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten KSD261GBU
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 20V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 500mA |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | TO-92-3 |
Serie | - |
Leistung - max | 500mW |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | - |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 200 @ 100mA, 1V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |
Basisteilenummer | KSD261 |