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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten BUL45D2G
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 400V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 400mA, 2A |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | - |
Leistung - max | 75W |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Andere Namen | BUL45D2GOS |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 2 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 13MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 5A 13MHz 75W Through Hole TO-220AB |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 10 @ 2A, 1V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 5A |
Basisteilenummer | BUL45 |