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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten BUL416
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 800V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 1.33A, 4A |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | - |
Leistung - max | 110W |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Andere Namen | 497-6681-5 BUL416-ND Q1659498 |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | - |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 6A 110W Through Hole TO-220AB |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 12 @ 700mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 250µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 6A |