vorrätig: 52831
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten EMZ7T2R
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 200mA |
Transistor-Typ | NPN, PNP |
Supplier Device-Gehäuse | EMT6 |
Serie | - |
Leistung - max | 150mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
Andere Namen | EMZ7T2R-ND EMZ7T2RTR |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 320MHz, 260MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 12V 500mA 320MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 270 @ 10mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |
Basisteilenummer | *MZ7 |