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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten EMZ51T2R
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 20V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Transistor-Typ | NPN, PNP |
Supplier Device-Gehäuse | EMT6 |
Serie | - |
Leistung - max | 150mW |
Verpackung | Original-Reel® |
Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
Andere Namen | EMZ51T2RDKR |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 400MHz, 350MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 20V 200mA 400MHz, 350MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 120 @ 1mA, 6V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 200mA |