ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTD133HKT146
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DTD133HKT146
- Mega -Quelle #: MEGA-DTD133HKT146
- Hersteller: LAPIS Technology
- Verpackung: Tape & Reel (TR)
- Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 58095
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten DTD133HKT146
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | SMT3 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 3.3 kOhms |
| Leistung - max | 200mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SMT3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 56 @ 50mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |
| Basisteilenummer | DTD133 |
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