Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von DTD513ZMGT2L bereitgestellt werden.
vorrätig: 55543
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten DTD513ZMGT2L
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | VMT3 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Leistung - max | 150mW |
Verpackung | Original-Reel® |
Verpackung / Gehäuse | SOT-723 |
Andere Namen | DTD513ZMGT2LDKR |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 7 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 260MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 140 @ 100mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |