Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von IS66WV51216EALL-70BLI bereitgestellt werden.
vorrätig: 56031
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten IS66WV51216EALL-70BLI
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 70ns |
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Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 1.95 V |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Supplier Device-Gehäuse | 48-TFBGA (6x8) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 48-TFBGA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 8Mb (512K x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | SRAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SRAM - Asynchronous Memory IC 8Mb (512K x 16) Parallel 70ns 48-TFBGA (6x8) |
Zugriffszeit | 70ns |