Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von IS66WV51216EBLL-70TLI bereitgestellt werden.
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten IS66WV51216EBLL-70TLI
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 70ns |
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Spannungsversorgung | 2.5 V ~ 3.6 V |
Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Supplier Device-Gehäuse | 44-TSOP II |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 8Mb (512K x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | PSRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | PSRAM (Pseudo SRAM) Memory IC 8Mb (512K x 16) Parallel 70ns 44-TSOP II |
Zugriffszeit | 70ns |