Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von MB85R256GPF-G-BNDE1 bereitgestellt werden.
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MB85R256GPF-G-BNDE1
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 150ns |
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Spannungsversorgung | 2.7 V ~ 3.6 V |
Technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Serie | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speichergröße | 256Kb (32K x 8) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | FRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns |
Zugriffszeit | 150ns |