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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MB85R4M2TFN-G-ASE1
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 150ns |
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Spannungsversorgung | 1.8 V ~ 3.6 V |
Technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Supplier Device-Gehäuse | 44-TSOP |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Andere Namen | 865-1266 865-1266-1 865-1266-1-ND |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speichergröße | 4Mb (256K x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | FRAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 20 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 150ns 44-TSOP |
Zugriffszeit | 150ns |