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vorrätig: 57635
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten PDTA113EM,315
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 1.5mA, 30mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | DFN1006-3 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Leistung - max | 250mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SC-101, SOT-883 |
Andere Namen | 934058825315 PDTA113EM T/R PDTA113EM T/R-ND |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount DFN1006-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 40mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Basisteilenummer | PDTA113 |