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vorrätig: 50543
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten PDTA113ES,126
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 1.5mA, 30mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | TO-92-3 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Leistung - max | 500mW |
Verpackung | Tape & Box (TB) |
Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Andere Namen | 934058783126 PDTA113ES AMO PDTA113ES AMO-ND |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 40mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Basisteilenummer | PDTA113 |