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MJD31C1G
- Mega -Quelle #: MEGA-MJD31C1G
- Hersteller: AMI Semiconductor/onsemi
- Verpackung: Tube
- Beschreibung: TRANS NPN 100V 3A IPAK
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 848
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MJD31C1G
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 100V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Transistor-Typ | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse | I-PAK |
| Serie | - |
| Leistung - max | 1.56W |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Andere Namen | MJD31C1G-ND MJD31C1GOS |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 2 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 3MHz |
| detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Through Hole I-PAK |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 10 @ 3A, 4V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 3A |
| Basisteilenummer | MJD31 |
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MJD31C1G FAQ
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