vorrätig: 50959
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MJD29CTF
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 100V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 125mA, 1A |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | D-Pak |
Serie | - |
Leistung - max | 1.56W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 3MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 1A 3MHz 1.56W Surface Mount D-Pak |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 15 @ 1A, 4V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 1A |