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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MJD2955-1G
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 60V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A |
Transistor-Typ | PNP |
Supplier Device-Gehäuse | I-PAK |
Serie | - |
Leistung - max | 1.75W |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 2MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 10A 2MHz 1.75W Through Hole I-PAK |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 20 @ 4A, 4V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 10A |
Basisteilenummer | MJD2955 |