vorrätig: 58630
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten STP110N8F6
VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
Serie | STripFET™ F6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 55A, 10V |
Verlustleistung (max) | 200W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Andere Namen | 497-16019-5 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9130pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 80V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 110A (Tc) |