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STP10NM65N
- Mega -Quelle #: MEGA-STP10NM65N
- Hersteller: STMicroelectronics
- Verpackung: Tube
- Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 53124
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten STP10NM65N
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
| Serie | MDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 90W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Andere Namen | 497-7499-5 STP10NM65N-ND |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 650V 9A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
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STP10NM65N FAQ
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