ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedEMD5DXV6T1G
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EMD5DXV6T1G
- Mega -Quelle #: MEGA-EMD5DXV6T1G
- Hersteller: AMI Semiconductor/onsemi
- Verpackung: Tape & Reel (TR)
- Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 53425
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten EMD5DXV6T1G
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-563 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms, 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms, 47 kOhms |
| Leistung - max | 500mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen | EMD5DXV6T1GOS |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | - |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
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EMD5DXV6T1G FAQ
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