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EMD2FHAT2R
- Mega -Quelle #: MEGA-EMD2FHAT2R
- Hersteller: LAPIS Technology
- Verpackung: Tape & Reel (TR)
- Beschreibung: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 53532
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten EMD2FHAT2R
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | - |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse | EMT6 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
| Leistung - max | 150mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen | EMD2FHAT2RTR |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 7 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 56 @ 5mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
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EMD2FHAT2R FAQ
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Versand
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Produkttyp und Zustand
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Käuferlesen
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