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EMD12T2R
- Mega -Quelle #: MEGA-EMD12T2R
- Hersteller: LAPIS Technology
- Verpackung: Cut Tape (CT)
- Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 51857
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten EMD12T2R
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse | EMT6 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
| Leistung - max | 150mW |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen | EMD12T2RCT |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 68 @ 5mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
| Basisteilenummer | MD12 |
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EMD12T2R FAQ
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