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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten EMD29T2R
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V, 12V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | EMT6 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms, 10 kOhms |
Leistung - max | 120mW |
Verpackung | Original-Reel® |
Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
Andere Namen | EMD29T2RDKR |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 250MHz, 260MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 120mW Surface Mount EMT6 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA, 500mA |
Basisteilenummer | *MD29 |